İşlem, flaş hafıza yonga plakasının (wafer) yaklaşık 100 nanometreye incelmesine kadar dilimlenmesi ile başlıyor. Bu dilim bir plastik taşıyıcı film üzerine tutturularak bir yuvarlayıcı üzerinde bir esnek PCB ye presleme işlemi ile sıkıştırılıyor.
Isıl sıkıştırma ile yapıştırma işlemi, dilimi PCB ye tutturmuş oluyor. Bir sağlam yapıştırma ortamı olarak kullanılan izotropik olmayan iletken film (anisotropic conductive film – ACF) sayesinde dilim ile PCB arasındaki iletim sağlanmış oluyor.
KAIST (Kore İleri Bilim ve Teknoloji Enstitüsü) laboratuvarı, üretilen silikon tabanlı esnek NAND hafızasının, birçok zor şart altında bile kararlı hafıza işlemlerini gerçekleştirmiş olduğunu belirtiyor. Böylece bu yuvarlanabilir esnek LSI teknolojisi sayesinde, yüksek yoğunluklu hafızalara sahip esnek uygulama işlemcileri ve yüksek hızlı iletişim cihazları üretmek olanaklı hale gelecek.
KAIST bu çalışmayı KIMM (Kore Makine ve Materyal Enstitüsü) ile birlikte yapmış. KIMM’den Doktor Jae-Hyun Kim bu gelişmenin şu anda halihazırda üretilen esnek ekran ve bataryalardan sonra esnek bilgisayarlar üretmek için yeni bir çağ açacağını düşünüyor.
Bu çalışma ile ilgili sonuçlar Gelişmiş Materyaller (Advanced Materials) dergisinde “Eşzamanlı yuvarlanma transferi ve silikon NAND flaş hafızanın bağlantılanması” isimli makalesinde bulunabilir.
Orijnal Makale: ncbi
Steve Bush’un www.electronicsweekly.com sitesinde 30 Ağustos 2016 tarihinde yayınlanan yazısından çevrilmiştir.
Çeviren: Taner Akkan